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분야
hwp1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구조
3. 원리
4. 트랜지스터의 증폭 작용
▣ 학회를 다녀와서...
1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
초크랄스키법 개략도 - 초크랄스키법은 게르마늄단결정의 양산(量産)에 활용되고 있으며, 또한 실리콘단결정 제조에도 이용되고 있다. 실리콘단결정 제조의 경우에는 먼저 고순도 실리콘다결정을 고순도의 석영도가니 안에 넣고, 이것을 도가니 홀더 바깥둘레에 장치한 카본 히터로 가열하여 용융시킨다. 그리고 이 용융액에 종자결정인 실리콘단결정을 담근 다음, 이 단결정을 매분 10회 정도 회전시키면서 매분 1∼2㎜의 속도로 끌어올리면 된다. 이때 도가니와 함께 용융액을 결정의 회전 방향과는 반대 방향으로 회전시켜야 한다. 이상과 같은 조작으로 균일성이 뛰어나고 지름도 큰 실리콘단결정이 만들어진다. 이 제조법으로 초기에는 지름이 약 20㎜인 실리콘단결정이 만들어졌는데, 기술과 장치의 개량으로 해마다 평균 약 6∼7㎜씩 증가하여 지금은 120㎜ 정도의 큰 실리콘단결정도 만들 수 있게 되었다.
플로팅 존법 개략도2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
- 플로팅존법은 게르마늄다결정 등의 물리적 정제에 이용되었던 띠정제기술을 발전시킨 것으로 실리콘단결정 제조에도 응용되고 있는데, 오염의 원인이 되는 도가니 등의 용기를 전혀 사용하지 않기 때문에 이 기법으로는 고순도의 단결정을 얻을 수 있다. 이 기법에서는 우선 장치 안에서 부유용융띠를 다결정과 단결정의 중간에 만든다. 이 부유용융띠는 유도코일에 고주파전류(주파수 2∼3MHz)를 흐르게 하여 코일가열을 하는 방법으로서 결정을 부분적으로 용융하는 방법으로 만들면 된다. 그리고 다결정과