[실험] 다이오드 및 광자의 특성(예비)
![[실험] 다이오드 및 광자의 특성(예비)-1](https://images.happyhaksul.com/thumb/384/383482-0001.gif)
![[실험] 다이오드 및 광자의 특성(예비)-2](https://images.happyhaksul.com/thumb/384/383482-0002.gif)
분야
hwp(2)광소자
(3)Pauli의 배타원리
(4)에너지대(전도대와 가전자대)
순바이어스 때의 순방향 저항값은 아주 작고 ,역바이어스 때의 저항값은 대단히 크다. 그러므로 다이오드는 교류형 전기신호에 대하여 스위칭 작용을 하게 된다. 즉 순방향 신호에 대하여 ON,역방향 신호에 대해서는 OFF이다.
충분히 높은 역바이어스는 돌발 사건을 일으키기도 한다.이것은 공핍층의 높은 전계에 의해 원자내에 전자가 방출되어 자유 전자와 정공을 만드는 것에 따른 제너항복이라는 현상과 공핍층의 고전계에 의해 가속된 전자나 정공이 원자를 분리하여 다시 자유전자와 정공을 만드는 것에 따른 전자 사태라고 하는 현상에 의해 일어난다.
전류가 급히 증가하기 시작할 때의 전압을 항복전압 또는 제너전압이라 하며 이때 발생된 과전류에 의한 열이 밖으로 적적하게 방출되지 못하면 접합면에 부분적 으로 구멍이 뚫려 치유 불능의 상태가 야기될 수 있다.
반도체 다이오드는 보통 다음의 형태중 하나이다. 즉 성장 접합형, 합금형, 확산형, 에피택시얼 성장형, 점 접촉형등이다.