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[반도체] Epitaxy 레포트

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    [반도체] Epitaxy 레포트에 대한 자료입니다.
    목차
    1.Introduction

    2. Typical Epitaxy Techniques
    MBE (Molecular-Beam Epitaxy)

    MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)

    HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)

    LPE (Liquid Phase Epitaxy)

    ALE (Atomic Layer Epitaxy)


    3. In-situ monitoring of epitaxy processes

    4. Mismatch(Misfit) & Dislocation

    5. References
    본문내용
    Advantage

    ① 낮은 성장률을 가지면서 높은 질의 epilayer을 생성

    ② 다양한 dopant 성분을 흡착이 가능하고, 복잡한 구조를
    가진 다양한 layer를 생성


    Disadvantage

    ① 고진공으로 인한 작동비용이 높음

    ② source material 교체로 인한 chamber 내부의 오염

    ③ As와 P이 포함되어 있는 alloy의 성장 제한


    Real-time Monitoring ToolsThe MBE growth can be monitored in real-time using a Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED) system. The system includes an electron gun which directs an electron beam towards the substrate at a shallow angle (1-2°), and a phosphor screen which detects the diffracted beam.
    As the substrate surface varies (from rough to smooth) so does the pattern detected at the screen.


    참고문헌
    1. Organometallic vapor-phase Epitaxy. 2nd edition, Gerald B. Stringfellow

    2. Atomic Layer Epitaxy, T. SUNTOLA and M. SIMPSON

    3. Crystal Growth For Beginners;
    Fundamentals of Nucleation, crystal Growth and Epitaxy, Ivan V Markov

    4. Silcon-Molecular Beam Epitaxy Volume 1,2, Erich Kasper and John C. Bean

    5. www.sandia.gov/.../photonics/gallery006.html

    6. www.acsu.buffalo.edu/~tjm/

    7. www.seas.ucla.edu/prosurf/MOCVD.htm

    8. http://mateng.cnu.ac.kr/zb41/zboard.php/

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