[전자재료실험] LED 공정 실험

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레포트 > 공학계열
2010.08.14
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소개글

[전자재료실험] LED 공정 실험에 대한 자료입니다.

제 1 장 서 론

제 1.1 절 LED를 왜 쓰는가?
제 1.2 절 LED의 구동원리
제 1.3 절 LED 재료 조사
제 1.4 절 포토리소그래피(Photolithography)
제 1.5 절 lift-off 공정
제 1.6 절 플라즈마 에싱(ashing)
제 1.7 절 공정장비 사전조사
제 1.7.1 절 Inductively coupled plasma(ICP)
제 1.7.2 절 Alpha Step
제 1.7.3 절 Electron beam Evaporation

제 2 장 본 론

제 2.1 절 실험 목표
제 2.2 절 실험 과정
제 2.2.1 절 실험 전단계
제 2.2.2 절 1st Week
제 2.2.3 절 2nd Week

제 3 장 결 론

Reference

본문내용

1. 서 론
1.1 LED를 왜 쓰는가?
LED(Light Emitting Diode)는 전기에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 발광반도체로서, 1995년에 고휘도 녹색 LED가 개발됨에 따라 빛의 삼원색인 적색, 청색, 녹색 LED가 이용가능하게 되었으며, 1996년에는 청색 LED에 YAG:Ce 계열의 형광물질을 도포한 백색 LED가 개발되면서 차세대 디스플레이 및 조명용 광원으로 주목받고 있다.
미국, 유럽, 일본 등 선진국들은 전체 조명기기의 50 - 80%이상을 LED가 대체 할 것으로 내다보는 등, 에너지 절약과 친환경 문제 등을 이유로 LED를 국가적 지원과제로 선정하여 연구개발에 나서고 있다.
그러나 국내 LED기술은 선진국의 70-80% 수준에 머물러 있으며, LED 핵심 기술은 해외 업체들에 의존하고 있어 원천기술의 확보가 시급하다.
현재 LED에서의 최고의 이슈는 조명용 LED이나 현재의 기술로는 비용측면에서 기존광원을 대체하기 어려워 LED의 고효율 및 고출력에 대한 연구개발이 활발히 진행 중이다.
따라서 고효율 및 고출력 LED 구현을 위해 제작단계별로 이루어지는 연구동향을 분석하여 국내 LED 기술 발전에 기여해야 할 것이다.

1.2 LED의 구동원리
LED는 기본적으로 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가
하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭 (band gap)에 해당하는 에너지를
빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자 (optoelectronic device)이다. 아래 그
림 1. 에서 보는 바와 같이, p-n접합에 순방향으로 전압을 인가하면 n형 반도체의
전자 및 p형 반도체의 정공은 각각 p쪽, n쪽에 주입되어 소수 운반자 (carrier)로서
확산된다. 이들의 소수 운반자는 확산과정에서 다수 운반자와 재결합하며, 결합하
는 전자와 정공의 에너지 차에 해당하는 빛을 방출한다. LED가 방출하는 빛의 양
은 다이오드 전류에 비례하여 커지게 된다. 따라서, 고휘도를 요구하는 조명용
LED가 높은 전류 (~1A)하에서 작동하게 되는 이유가 바로 여기에 있다.

참고문헌

Y.Kamii, I.Waki, H.Hujioka, M. Oshima, H.Miki, M.Okuyama, Applied Surface Science 190,348 (2002)
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칩구조와 칩마운트에 따른 InGaN LED 의 광추출효율, 이주희 홍대운 강의정 이성재 충남대학교 전자공학과
OIDA백서(2002), Strategies unlimited(2003), 넓은띠간격반도체연구회
전자정보센터(www.eic.re.kr)
http://blog.daum.net/jhzs09/236818, NSL(나노광반도체연구실), 질화물반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술
LED/고효율, 고출력을 위한 제작단계별 연구개발 동향, KISTI 한국과학기술연구원(2004)
LED 조명기술응용 동향. 과학기술부 / 한국과학기술정보연구원. (2005)
백종협(2007), 에너지 절감형 LED 광원기술 - KOPTI(한국광기술연구원)
김현진(1998),원격플라즈마 유기금속화학증착법에 의해 증착된 InGaN 박막에서의 In 유입과 상분리 현상에 관한 연구, 서울대학교 대학원
Takashi Mukai, Daisuke Morita Shuji Nakamura (1998), High Power UV InGaN/AlGaN double-heterostructure LEDs
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