1.Introduction
2.Experiments
3.Results and Discussion
4.Conclusion
대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)
특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경 높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조 변형의 최소화
이 논문에선… 3wt%의 Ga doping ZnO thin filmglass에 증착전기적 특성의 최적화를 위해기판 온도, RF출력, Ar 공정압을 조정GZO박막의 공정변수의 효과에 의한 구조적 전기적 특성 조사
실험 조건 요약3wt% GaSubstrate : GlassChamber Pres. : 4.9*10-6TorrAr Working Pres. : 3.5~7.5mTorrTemp. : 250~400℃RF Power : 100~200WAr Gas flow rate : 40sccm
분석기기X-ray Diffractometer (XRD) at 40kV, 30mAHall Measurement at room temp.

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