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[전자공학] 센서의 기초효과

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    [전자공학] 센서의 기초효과에 대한 자료입니다.
    목차
    1. 센서의 변환원리

    2. 광전 효과

    가. 광도전 효과(Photoconductive effect)

    나. 광 기전력 효과

    3. 열전효과

    가. 제벡효과

    나. 펠티어 효과

    다. 톰슨 효과

    4. 압전기효과

    가 압전기효과 특징

    나. 압전형 재료

    다. 전왜현상 (압전 정효과)

    5. 저항변형 효과

    가. 반도체 피에조 효과

    나. 금속선의 변형 게이지 효과


    본문내용
    가. 광도전 효과(Photoconductive effect)

    빛을 어떤 물질에 입사시켰을 때 그물질의 도전율이 증가하는 현상을 광도전 효과라 한다. 다시 말하면, 반도체에 빛을 조사하면 전자-정공 쌍  (Electron-hole pair)이 발생하여, 그 부분의 전기 전도도(도전율) 이 증가한다. 대표적으로 CDS(황화 카드뮴 셀) 를 말한다. CDS 센서는 광에 쏘여지면 저항값이 감소하는 광도전효과를 이용한 반도체 포토센서입니다. 또, 광도전 효과는 진성광전도 효과와 불순물 광도전 효과가 구분할 수 있다.
               

    < 광도전 효과 >

    1) 진성 광전도 효과
    가전자대의 캐리어가 전도대로 이동하는 효과를 뜻한다.
    2) 불순물 광도전 효과
    금지대 안의 불순물 레벨준위에 존재하는 전자가 전도대로 이동하는 효과.


    나. 광 기전력 효과

    반도체의 p-n접합부나 정류작용이 있는 금속과 반도체의 경계면에 강한 빛을 입사시키면, 반도체 중에 만들어진 전자와 정공이 접촉전위차 때문에 분리되어 양쪽 물질에서 서로 다른 종류의 전기가 나타나는 '광기전력'이 발생하는 현상을 말한다. 이 때 만들어지는 전류를 광전류라 하고, 뎀버 효과 광전자 방출효과 가 잇다.


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