[반도체설계] AlN, GaN, AlGaN 이종접합구조 전계효과
![[반도체설계] AlN, GaN, AlGaN 이종접합구조 전계효과-1](https://images.happyhaksul.com/thumb/513/512012-0001.gif)
![[반도체설계] AlN, GaN, AlGaN 이종접합구조 전계효과-2](https://images.happyhaksul.com/thumb/513/512012-0002.gif)
![[반도체설계] AlN, GaN, AlGaN 이종접합구조 전계효과-3](https://images.happyhaksul.com/thumb/513/512012-0003.gif)
분야
hwp2. 실 험
2.1 SIN 보호막 처리된...
2.1.1 구조
2.1.2 AlN 두께층
참 고 문 헌
게이트 물질로 Pt/Au를 사용하고 게이트의 양 옆에 SiN으로 표면을 보호막 처리하였다. 게이트 아래에 차례로 2.5㎚ GaN cap, 2.0~4.5㎚ AlN barrier, 30㎚ GaN Channel, 50㎚ AlGaN Buffer Layer, ㎚ GaN로 구성하였다. 또한 프로그램의 원활한 수행을 위해 Source와 Drain 사이의 빈 공간은 진공으로 처리하였다. 이 구조에 대한 Mesh는 그림///과 같다. 그리고 Channel의 형성을 뚜렷이 확인하기 위해 AlN/GaN Interface 부분은 조밀하게 구성하였다.
1) 한수소, 두수소, 두수소, 한국수소 및 신에너지학회논문집, 13(1), 15 (2002).
2) S. S. Han, S. S. Doo, and S. S. Se, Trans. of the Korean Society of Hydrogen Energy, 36(1), 3326 (2002).
3) 한수소, 두수소, “수소에너지와 인간생활”, 한국수소출판사, 서울, pp. 105-203, 2002,
4) S. S. Han and S. S. Doo, "The Effect of Hydrogen Energy", in S. S. Se(Edi.)", Hydrogen and Human Life", Hydrogen-press, Korea, pp. 105-203, 2002.