삼성전자 반도체 부문의 성공요인과 미래전략 제시
Contents
Part 1 – 반도체, 그리고 삼성전자
Part 2 – 성공요인(1) : 기술적 요인
Part 3 – 성공요인(2) : 조직적 기반과 기업문화적 요소
Part 4 – 미래전략, 및 결론
1974년 한국반도체를 인수하여 삼성반도체로 이름을 바꿈
1981년 반도체 연구소 건립
1983년 VLSI양산 공장건설 착수, 64K DRAM 개발, San Jose에 현지법인 설립
1986년 1M DRAM 개발
1990년 16M DRAM 개발
1992년 64M DRAM 개발
1992년 DRAM 시장 점유율 세계 1위 달성1993년 메모리 사장 점유율 세계 1위 달성1994년 256M DRAM 개발1996년 1G DRAM 개발2001년 1G 플래시 개발
2003 년 세계 최초 70나노 4기가 낸드플래시 개발
2004년 8G 플래시 개발2005년 세계 최초 50나노 16기가 반도체 개발
2006년 메모리 14년 연속 세계 1위 달성
2006년 DRAM, 15년 연속 세계 1위 달성
2006년 S램, 12년 연속 세계1위 달성
2006년 플래시메모리(전체), 5년 연속 세계 1위 달성
2007년 세계 최초 60나노급 1기가 DRAM 생산
2008년 50나노 1기가 DDR2 D램 최초 양산
2009년 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산
- 신장섭, ‘삼성 반도체 세계 일등 비결의 해부’, 삼성경제연구소, 2006
- 신용인, ‘삼성과 인텔’, 랜덤하우스, 2009
- 조현재, ‘디지털 정복자 삼성전자’, 매일경제신문사, 2005
- 강구창, ‘반도체 비즈니스 제대로 이해하기’, 지성사, 2010
- 아르누 드 마이어, ‘글로벌 기업의 조건’, 교보문고, 2007
신문
- 서울 파이낸스
한국경제
매일경제
웹페이지
- 삼성전자 홈페이지
- IT 시장 조사 업체 isuppli.com
- Positiveidcorp.com
- Digitalangel.com
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