[공학] TFT 전기적 특성 및 광학적 특성(이론)

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레포트 > 공학계열
2011.11.21
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소개글

[공학] TFT 전기적 특성 및 광학적 특성(이론)에 대한 자료입니다.

목차
1.TFT의 기본구조
2.a-si에 관한 이론
3.Poly-si에 관한 이론
4.Oxide에 관한 이론
5.각각의 TFT에 대한 비교분석
6.실험 방법 및 기구
7.TFT의 전기적, 광학적 특성 분석에 관한 식 및 그래프 분석

본문내용

비정질 실리콘은 많은 분야에 있어서 응용되고 있으며, 잠재력을 갖고 있는 물질이다. 저온 공정이 가능하고 빛에 대한 높은 감도를 가지며, 대면적에서 균일한 특성을 가진다. 화학 연료에 의한 환경 파괴 및 에너지 고갈에 따른 대체 에너지의 일환으로 비정질 실리콘을 이용한 태양전지(solar cell)는 이미 상업화가 되고 있다. 결정은 각 원소들이 일정한 위치에 규칙적으로 배열 되어 있는 반면 비정질 실리콘의 경우는 그러한 규칙성이 없다는 것으로 생각되지만 전혀 규칙성이 없는 것은 아니다. 비정질 실리콘은 이들 결합각이나 결합거리가 일정하지 않고 분포를 가진다. 그러나 완전히 이들 결합모양이 파괴되는 것은 아니다.

산화물로 이루어진 반도체로서 광학적 밴드갭이 가시광선의 에너지(~3.1eV) 보다 크기때문에 가시 광선 영역에서 투명한 특성이 있다. 주로사용되는 물질은 ZnO, InO, SnO 등이며 이들의 조합으로 이루어진 화합물 형태도 있다. 지금까지는 주로각종 센서나 광학소자 등에 사용되어 왔으나 최근 TFT로의 응용이 활발히 연구되고 있다.

Swing은 transfer curve의 subthreshold영역에서 다음과 같
이 정의된다.

Swing값은 transfer curve의 sub-threshold 영역에 10배의
drain current를 변하게 하기 위해 필요한 gate voltage의
증가량이다. 이 swing값은 sub-threshold영역에서 Vgs의
값에 따라 얼마나 급격히 drain current가 변하는 지에 대
지표인데, 스윙 값이 작을수록 작은 Vg의 변화에도 Id가 급
격히 변하는 것을 의미하므로 transistor가 off 상태일 때
leakage current가 적게 흐른다. 결론적으로 Swing값이 낮
을수록 좋은 소자라고 할 수 있다.

#광학적 #특성 #TFT #광학 #이론