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[반도체] PECVD 공정 및 장비

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    [반도체] PECVD 공정 및 장비에 대한 자료입니다.
    목차
    서론
    CVD 기술의 발전 과정 및 시장 동향
    시장성 조사
    본론
    1. CVD공정의 개념 및 정의
    2. CVD공정 분류 및 각 공정의 특징, 장단점
    3. PECVD 원리
    4. PECVD 특징
    (1)TEOS
    (2) ARC
    (3) ACL
    5. PECVD에 사용되는 화학물질
    6. PECVD 장비
    본문내용
    MOCVD : MOCVD 란 금속유기원료 (Metal Organic Source)를 이용하여 막을 형성시키는 방법으로 precursor의 분해온도가 낮다. MOCVD의 장점은 성막 속도가 빠르고, Step Coverage가 우수하며, 막 조성 및 성막 속도 제어가 가능하다. 또한 기판이나 결정표면의 손상이 없는 장점이 있다. 단점으로는 Source와 반응 가스들 중 폭발 위험성 및 인체에 유해한 것들이 많이 있어 주의를 요하며 원료 기체의 독성 V 족 원소의 수소화물의 독성이 강하여 배기기체에 미분해 기체가 포함되며 위험해 질 수 있다.

    3. PECVD 원리
    - 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 원리
    PECVD는 전기적 방전을 통해 기체 내에 화학 반응을 일으켜 화학 기상 증착물을 형성시키는 기술이다. 이러한 기술은 통상 플라즈마 열역학에 따른 2 가지 부류로 나뉜다. 즉, 대기 중에서의 아크 방전과 같은 열 플라즈마 및 저압 글로우 방전과 같은 불평형 플라즈마 혹은 찬 플라즈마이다. 앞으로 PECVD라 함은 불평형 글로우 방전 CVD만을 가리키는 것으로 한다.
    일반적으로 PECVD는 다음과 같은 단계에 따라 진행된다.
    · 글로우 방전을 통한 반응 물질의 생성
    · 막 표면으로의 흡착과 확산
    · 표면 결합의 활성화와 생성 기체의 증착
    · 반응 물질의 재결합




    PECVD의 반응 장치의 방전 전력 주파수는 50㎑∼13.56㎒이다. 그런데 RF 전력을 높은 임피던스의 방전에 연결하려면 매칭 회로가 필요하다. 또한 전원 전극상에 직류가 필요하다면반응 장치에의 마지막 연결을 직력 커패시터로 해야 한다. RF 연결은 기판 전극 그 자체에 할 수도 있고 기판을 부유시키거나 접지시킨 채로 반대편 전극에 할 수도 있다. 이러한 요소들이 이온 흡착과 탈착의 정도를 결정한다.

    참고문헌

    reference

    http://www.semieri.co.kr/tt/board/ttboard.cgi?act=read&db=5_1&s_mode=def&sortby=name&order=desc&page=11&idx=91
    www.google.co.kr
    http://en.wikipedia.org/wiki/Plasma-enhanced_chemical_vapor_deposition
    http://www.crystec.com/tridepe.htm
    http://www.google.co.kr/url?sa=t&source=web&cd=2&ved=0CEkQFjAB&url=http%3A%2F%2Fcb.kicet.re.kr%2FlectureFileDown.do%3Ffile_idx%3D797&rct=j&q=pecvd&ei=bFLoTaihEIz0vQP9x-ntDw&usg=AFQjCNHm4VgKXMyZr2rzemrJ6lJ4CRBkjg&cad=rjt
    http://www.plasmaequip.com/WHAT%20IS%20PECVD.pdf
    http://www.ece.umd.edu/class/enee416.F2009/GroupActivities/Report6.pdf
    http://www.oxfordplasma.de/technols/dp_d.htm
    http://www.hitech-projects.com/dts/docs/pecvd.htm
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