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[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서

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    [전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서에 대한 자료입니다.
    목차
    1. 실험목적
    2. 실험이론
    3. 산화층 두께에 따른 MOS 커패시터의 C-V특성 측정
    3.1 C-V예상결과
    3.2 C-V실험결과분석
    4. 산화층 두께에 따른 MOS 커패시터의 I-V특성 측정
    4.1 I-V예상결과
    4.2 I-V실험결과분석
    5. 참고자료
    본문내용
    전극크기 1mm, SiO2 층 두께 5nm, 10nm,15nm 세 mos 축전기에 대하여 -5V에서 +5V까지 전압에 따른 C값 측정

    예상원인 2. SiO2 의 불완전 증착

    Chamber 안의 불완전 진공상태로 증착과정에서 SiO2 가 완벽하게 증착 되지 않았을 가능성이 있다.

    예상원인 3. Deep depletion 효과

    주파수가 높은 전압이 인가된 경우 . capacitance가 일정한 값에 수렴하지 않고 계속하여 감소할 수 있다.


    예상원인1. 시편의 옥사이드 층에 발생한 트랩으로 인한 터널링 효과 (TAT:trap assisted tunneling)

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