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pptx화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposition
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마화시키면 원료물질이 라디칼화되어 반응성이 크게 높아져 기판 위에 흡착되어 퇴적하는데, 온도를 높여서 퇴적시키는 것을 '열 CVD', 화학반응이나 열분해를 촉진시키기 위해 빛을 소사하는 것을 '빛 CVD', 가스를 플라스마상태로 여기시키는 것을 '플라스마 CVD'라고 한다.
약칭은 CVD이다. IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 실리콘(규소) 등의 박막(薄膜)을 만드는 공업적 수법이다. 실리콘 산화막, 실리콘 질소막, 아모르퍼스 실리콘(Amorphous Silicon) 박막 등을 만드는데 쓰인다. 제작과정에서 화학반응을 이용하므로 화학기상성장법이라고 불린다.
화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마화시키면 원료물질이 라디칼화되어 반응성이 크게 높아져서 기판 위에 흡착되어 퇴적한다.
온도를 높여서 퇴적시키는 것을 '열 CVD', 화학반응이나 열분해를 촉진시키기 위해 빛을 소사하는 것을 '빛 CVD', 가스를 플라스마상태로 여기(勵起)시키는 방법을 '플라스마 CVD'라고 한다.