MOSFET공통 소스 증폭기3

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소개글
MOSFET공통 소스 증폭기3에 대한 자료입니다.
본문내용
MOS-FET
공통소스증폭기
실험 목적
MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.
MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정한다
MOS-FET이란??
드레인 전류 ID가 게이트 전압에 의하여 제어되는 전계효과 트랜지스터(FET).
J-FET보다 더 큰 입력 임피던스를 갖고있다.
만드는 방법에 따라 증가형 MOS-FET과 공핍형 MOS-FET이 있다.
1) 증가형 MOS-FET
드레인과 소스 사이에 채널이 없다.
N형의 드레인과 소스가 P형의 기판에 의하여 분리되어 있다.
그러므로 FET의 기판으로부터 절연되어 있어서 이 MOS-FET 절연게이트 FET(IGFET)라 부른다.
게이트와 기판은 SIO2 절연체에 의하여 분리되어진 캐패시터의 전극판과 같은 작용을 한다.