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분야
hwp실험방법
조사내용(이론, 원리)
참고문헌
산화공정의 진행순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다.
■ 실험방법
1. wafer cleaninig
2. cleaning한 wafer를 O2분위기의 Furnace에서 1000도로 2시간 oxidation 시킨다.
3. oxidation 시킨 wafer를 육안 검사법으로 두께를 측정한다.
■ 조사내용
【1】 층의 두께 측정
⑴ 색 (color)
그림 ) 백색광의 간섭
실리콘 산화막과 질화막은 웨이퍼에서 색이 다르다. 실리콘 산화막자체는 투명하지만 웨이퍼 위에 서는 색을 가진다. 색은 실제로는 간섭현상이고, 무지개의 색과 같은 원리다. 실리콘 산화막은 투명한 박막이다. 웨이퍼에 빛이 들어 왔을때 일부는 산화막에서 반사되고, 일부는 통과해서 실리콘에서 반사된다. 산화막에서 반사된 빛이 간섭을 일으켜 색을 나타나게 된다.
산화막의 색은 세가지 요인의 함수이다. 첫째는 투명막의 특성인 굴절률이다. 둘째는 측정하는 각도다. (웨이퍼를 회전시키면 색이 변한다.) 셋째는 막의 두께이다.
얇은 투명막의 색은 어떤 시각을 따라 어떤 빛이 들어왔을 때 (즉, 햇및이나 인광) 두께를 가리키는 것이 된다. 색도표로부터 산화막의 두께를 알 수 있다. 간섭 때문에 색만으로는 두께를 정확히 알 수 없다. 두께가 증가함에 따라 색은 반복