[실험] RLC 소자의 이해, CMOS-TTL interface
![[실험] RLC 소자의 이해, CMOS-TTL interface-1](https://images.happyhaksul.com/thumb/386/385190-0001.gif)
![[실험] RLC 소자의 이해, CMOS-TTL interface-2](https://images.happyhaksul.com/thumb/386/385190-0002.gif)
![[실험] RLC 소자의 이해, CMOS-TTL interface-3](https://images.happyhaksul.com/thumb/386/385190-0003.gif)
![[실험] RLC 소자의 이해, CMOS-TTL interface-4](https://images.happyhaksul.com/thumb/386/385190-0004.gif)
분야
hwp2. 실험 이론
(1) CMOS의 원리
(2) CMOS와 TTL의 interface
(3) TTL과 CMOS의 interface
3. 실험 준비물
4. 예비 과제
(1) TTL 특성과 CMOS 특성을 기술하라.
(2) CMOS 게이트가 TTL 게이트를 구동시킬 때 noise margin은 얼마인가?
(1) CMOS의 동작을 이해한다.
(2) CMOS와 TTL의 interfacing 방법에 대하여 이해한다.
2. 실험 이론
(1) CMOS의 원리
CMOS는 동일한 실리콘 웨이퍼 위에 n-channel, p-channel device가 동시에 만들어질 수 있는 장점을 가지고 있다.
기본회로는 inverter로서 에 있는 바와 같이 p-channel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD +3~18[V]사이이고, low level은 0[V], high level은 VDD이다.
MOSFET의 특성.
① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도
② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도
③ nMOS는 gate-source 전압이 0[V], pMOS는 gate-source 전압이 5[V]일 때 off