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[공학] 논문분석-The effect of processing parameters on the properties of Ga-doped ZnO thin films by RF magnetron sputtering

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    [공학] 논문분석-The effect of processing parameters on the properties of Ga-doped ZnO thin films by RF magnetron sputtering에 대한 자료입니다.
    목차

    1.Introduction
    2.Experiments
    3.Results and Discussion
    4.Conclusion
    본문내용
    ZnO박막의 낮은 전기적 특성을 향상시키기 위해선 도핑이 필요 대부분 3족 원소로 도핑(B, Al, Ga, In)
    대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다 단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
    대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)

    특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경
    높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조 변형의 최소화

    실험 조건 요약 3wt% Ga Substrate : Glass Chamber Pres. : 4.9*10-6TorrAr Working Pres. : 3.5~7.5mTorr Temp. : 250~400℃ RF Power : 100~200W Ar Gas flow rate : 40sccm
    분석기기X-ray Diffractometer (XRD) at 40kV, 30mAHall Measurement at room temp.

    고정 조건-구동 압력 : 6mTorr-RF 출력 : 100W
    변수 조건- 온도변화 250~400℃


    #논문분석#RF#ZnO