분야
pptx2.실험 예상
3.실험 결과
4.오차 및 원인
5.토의 및 결론
6.참고
DC 로 -30V ~ 30V 변화
I-V 측정 : DC 로 0V ~ 100V 변화
오차 원인
1,2조의 데이터와 3조의 데이터를 비교 했을때 (산화막의 두께는 같지만 전극의 크기가 다른) 3조의 3가지 시편중에 한가지 시편이 잘못 제작되어진 것 같았다. (특히 10nm의 경향성이 맞지 않았다.)
시편에 제조에서 Wafer cleaning등의 공정에서 사용된 Na 이온이 포함된 solvent를 사용하게 되는 데 이때 Na+가 제거되지 않고 남아 Oxide층을 오염시켜 Oxide내부에서 유동 캐리어가 되어 예상과 다른 값이 나올 수 있다.
시편의 잘못된 제조 또는 측정오류로 생각 할수 있다.
「Nanocad와 함께하는 반도체 소자」,민홍식 외 3, 대영사, 2005
반도체 공학, Taizo Irie, Saburo Endo, 유순재 역, 북스힐, 2010
SOLID STATE ELECTRONIC DEVICE 6th,BenG.Streetman
Microelectronics Processing Technology – Metal Oxide Semiconductor Capacitor, spring 2004
C-V Characterization of MOS capacitors using the model 4200-scs semiconductor
characterization system, KEITHLEY Application Note Series, #2896
Solid State Electronic Devices. - BEN G. STREETMAN
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이후정교수님 「반도체공학개론 수업자료」