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[전자재료실험] MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정

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    • 소개글
    [전자재료실험] MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정에 대한 자료입니다.
    목차
    - 목 차 -

    Ⅰ.실험목적

    Ⅱ.실험배경

    Ⅲ.실험이론
    1. Capacitor
    2. MOSFET
    3. 공정법
    3.1 Photolithography
    3.2 Deposition

    Ⅳ.실험계획

    Ⅴ.예상결과

    Ⅵ.참고문헌


    본문내용
    위의 두 식을 살펴보면 Gate voltage가 상승하게 되면 처음 slope가 상승하게 되고 따라서 saturation voltage도 상승하게 된다. 또한 여기서 Cox는 εox/xox이므로 oxide층의 두께가 두꺼워질수록 앞서본 Vth에 대한 식에 따라 Vth가 커져 ID-VG그래프가 우측으로 shift하게 되고, 그래프의 slope역시 Cox가 작아짐에 따라 줄어들게 된다. IDsat식에서 또한 Cox가 작아지고 제곱값 또한 작아서 IDsat은 작아지게 된다.




    3. 공정법
    3.1 Photolithography
    PR(Photoresist)는 액체상태에서 빛에 민감한 재료이다.

    PR 그림

    Spinner 장치


    Spinner라는 회전을 하는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다.
    광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되지 않은 부분만 남겨놓고 PR을 제거하는 방법으로서 약 2.0Å정도의 소자를 만들 때만 사용한다.

    참고문헌
    Ⅵ. Reference
    MOSFET 이론
    -http://info.tuwien.ac.at/theochem/si-srtio3_interface/si-srtio3.html
    -http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/mosfet.asp?tm=1&tms=8
    E-beam
    -http://www.yoosung-vacuum.co.kr/kr/product/02.htm
    결과예측
    -http://119.31.244.56:8888/ip/detailMetaFile.do?identifier=05-000-081119-000018&fileno=1

    #MOS#전자재료실험#IV#Capacitor