![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-1](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0001.gif)
![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-2](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0002.gif)
![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-3](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0003.gif)
![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-4](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0004.gif)
![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-5](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0005.gif)
![[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착-6](https://images.happyhaksul.com/thumb/578/577421-0006.gif)
분야
hwp1. 이론적 배경
2. 개발 배경 및 중요성
1. 소재 및 공정선택 이유
2. 박막 공정 설계
1. 실용분야에서의 기대 및 파급효과
2. 참고문헌
광 CVD는 박막을 형성시킬 때 열에너지뿐만 아니라 광 에너지에 의한 광화학반응을 이용하는 방법으로 막 형성 온도를 큰 폭으로 저하시킬 수 있으면 또 광 에너지 자체가 반응가스를 분해시킬 수는 있으나 이온을 발생시킬 만큼 크지 않으므로 본질적으로 이온이 존재하지 않는 공정으로서 양질의 막을 형성할 수 있어 주목 받고 있다. 그것은 저온 공정으로서 지금까지 확고한 위치를 얻어온 플라즈마 CVD법에서 발생하던 결점(고 에너지이온에 의한 하부기관의 손상 등)을 보완할 뿐만 아니라 그것 이상의 발전 가능성을 가지고 있어 차세대 반도체 소자 즉 ULSI, 초고속 소자, 자외선 레이저 등의 개발에 중요한 역할을 담당하리라고 생각된다.
∘ The study of Formation of Insulating Films by Laser CVD and their Mechanism as well as Lifetime Estimations, 2003, 고려대학교 대학원 , 송정면
∘ HIGH-K 박막의 기술 개발 동향, 2002, SEMICONDUCTOR DEVICE LAB, 양성국