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[공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착

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    • 소개글
    [공학] 광-CVD를 통한 High-k 물질 증착에 대한 자료입니다.
    목차
    1.What is High-k ?

    2.Why High-k ?

    3.What is the 광 CVD

    4.SiO2 Deposition Method

    5.Improved Deposition Method

    6.Advantage & Prospect

    7.Reference
    본문내용
    What is High-k ?

    고유전율의 재료로써
    반도체의 Gate나 Capacitor를 만들 때 사용하는 신소재
    Ex) HfO2, ZrO2

    High-κ물질은 말 그대로 고 유전율을 가지고 있는 물질이므로 SiO2보다 높은 비율로 집적 시켜도 Tunneling 현상이 일어나지 않아 선택하게 되었다.
    반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와 같은 전류 누설이 문제가 된다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 절연막으로 하이-K를 사용함으로써 전하를 가두어 전류 누설을 막을 수 있다.

    즉 집적도 향상을 위하여 하이케이 증착


    저온공정이었던 플라즈마 CVD법에서 발생하던 결점(고 에너지이온에 의한 하부기관의 손상 등)을 보완

    광 CVD법은 큰 면적의 경우 램프 광 CVD와 레이저 광 CVD로 분류되고 있다.

    소스가스의 광분해를 보여주는 그림
    참고문헌
    ∘ 광 원자층 증착법으로 성장한 하프늄 산화막의 전기적 특성, 2004, 금오공과대학교 대학원, 김희철

    ∘ The study of Formation of Insulating Films by Laser CVD and their Mechanism as well as Lifetime Estimations, 2003, 고려대학교 대학원 , 송정면

    ∘ HIGH-K 박막의 기술 개발 동향, 2002, SEMICONDUCTOR DEVICE LAB, 양성국

    ∘ 박막공학 강의자료, 조남희

    #Highk#광CVD#High#물질#통한