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[공학] 반도체 공정실험 oxidation

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    [공학] 반도체 공정실험 oxidation에 대한 자료입니다.
    목차
    1. Purpose of experiment
    2. Experimental method
    3. Result & discussion
    4. Conclusion
    본문내용
    1. Purpose of experiment
    Wafer cleaning 방법과 절차에 대해 이해하고 Si 표면의 특성 그리고 Oxidation과 Ellipsometry의 원리를 이해하여 산화 시간에 따른 산화 두께를 측정하는 것을 목적으로 한다.

    2. Experimental method
    (1) Si wafer에 자연적 또는 화학적으로 생긴 SiO2층을 재거하고 또한 불순물을 제거하기 위해 wafer를 BOE용액에 담궈서 30분간 세정한다.
    (2) DI water로 BOE용액을 씻어낸다.
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