[공학] 반도체 공정실험 metal deposition
![[공학] 반도체 공정실험 metal deposition-1](https://images.happyhaksul.com/thumb/878/877965-0001.gif)
![[공학] 반도체 공정실험 metal deposition-2](https://images.happyhaksul.com/thumb/878/877965-0002.gif)
![[공학] 반도체 공정실험 metal deposition-3](https://images.happyhaksul.com/thumb/878/877965-0003.gif)
![[공학] 반도체 공정실험 metal deposition-4](https://images.happyhaksul.com/thumb/878/877965-0004.gif)
분야
hwp2.experimental method
3.result&discussion
4.conclusion
metal deposition의 개요 및 종류를 알아보고, 특히 PVD에서 evaporation과 sputtering의 원리를 알아본다. 또한 ni 박막의 두께에 따른 표면저항값을 측정 분석해 wafer의 전기적 성질 개선하는 것을 알아보는 것을 목적으로 한다.
2.experimental method
1) BOE와 DI water로 3개의 Si wafer를 세척한다.
2) E-beam evaporator를 이용하여 Si wafer위에 Ni를 10nm 증착시킨다.
3) 다른 2개의 Si wafer도 각각 20nm, 30nm의 두께로 Ni를 증착시킨다.
4) Ni가 증착된 3개의 Si wafer의 면저항 Rs를 FPP를 이용하여 측정한다.
3.result&discussion
Ni 박막의 두께를 e-beam evaporator를 이용해 10nm, 20nm, 30nm로 증착해 이에 따른 표면저항을 FPP로 10회 측정하였다.