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[공학] 반도체 공정실험

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    [공학] 반도체 공정실험에 대한 자료입니다.
    목차
    Wafer cleaning & Oxidation
    Photolithography
    Dry Etching
    Metal Deposition
    Annealing (Silicidation)
    본문내용
    1. Oxidation


    Temperature: 1000℃

    Time: 1h, 3h, 5h

    ▶ Result
    1h
    2148.05
    2187.27
    2183.78
    2173.03

    3h
    4691.06
    4697.09
    4734.00
    4707.38

    5h
    6417.74
    6448.17
    6443.29
    6436.40
    #공정실험#공정#공학#반도체#실험