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[공학] 반도체 공정실험 silicidation

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    [공학] 반도체 공정실험 silicidation에 대한 자료입니다.
    목차
    1. Purpose of experiment
    2. Experimental method
    3. Result & discussion
    4. Conclusion
    본문내용
    1. Purpose of experiment

    Silicidation은 silicon 표면에 금속(Ti, Co, Ni등)을 증착시키고 열처리를 통해 금속-Si 고용체를 만드는 과정이다. 이 과정에서 금속과 silicon이 결합되는 비율에 따라 silicon 표면의 면저항이 달라지게 된다. 면저항은 RC delay time과 power소모에 영향을 미치기 때문에, 면저항을 최소화하는 것이 silicidation의 주된 목적이다. 뿐만 아니라 금속과 반도체간의 오믹컨택을 유지시켜 트랜지스터의 속도를 향상시키며, 금속 배선층과의 확산방지층 역할을 하여 트랜지스터의 수명을 향상시킬 수 있다.
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